| 手机的RF天线开关对手机性能至关重要，而且还得满足互相严重冲突的信号要求。为首次使CMOS工艺技术满足手机天线的需求，Peregrine Semiconductor公司宣称用蓝宝石基SOI（绝缘体上外延硅）工艺技术制造的两种RF天线开关首次实现CMOS与天线的直接互连。据该公司总裁兼首席执行官James S Cable说，该公司PE4261型双频GSM手机用的单片四掷（SP4T）开关和PE4263 型四频段GSM手机用单片六掷（SP6T）开关表明，这种专有工艺技术能提供等同于GaAs（砷化镓）的性能，而且还具有很多众所周知的CMOS优点——虽然仅适用于0～3GHz的频段。 SOI CMOS芯片上的PE4261型 SP4T开关和PE4263型 SP6T RF开关在GSM频段具有CMOS优点，能在很小的占用面积内提供一系列RF开关功能。 这两种开关的基本性能规格相同。50Ω的PE4261型 SP4T IC集成有双线控制逻辑解码器和驱动器，从而可减少元件数和占用面积。插入损耗在900 MHz时为0.55 dB，在1.9 GHz时仅增大到0.65 dB。同样，隔离度在900MHz和1.9 GHz时分别为45dB和40 dB。最大开关时间为3ms，最大功率额定值为41dBm（P1dB）。售价为52美分(10,000件批量)的2.6V IC不需要使用外部隔直流电容器，如果使用基于PHEMT（正向高电子迁移率晶体管）的开关，则需要使用大约10个这样的电容器。作为装配中的一个实际而至关重要的问题，ESD容差为1500V，采用人体模型标准。四频段PE4263也是2.6V 50Ω IC，售价为60美分。 |
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